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[期刊论文] 作者：陶桂龙,许高博,徐秋霞,,
来源：半导体技术 年份：2017
综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米...
[期刊论文] 作者：卜建辉, 许高博, 李多力, 蔡小五, 王林飞, 韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2004
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体...
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