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[期刊论文] 作者：杨勰,王祖军,尚爱国,霍勇刚,薛院院,贾同轩,焦仟丽,
来源：现代应用物理 年份：2021
以4T CMOS有源像素图像传感器为研究对象,开展了 10 MeV不同注量质子辐照导致图像传感器满阱容量性能退化模拟研究,建立了 CMOS图像传感器结构模型和质子辐照模型;结合满阱容量计算模型,分析了不同注量质子辐照对光电二极管(PPD)电容、TG沟道势垒及浮置节点(FD)......
[期刊论文] 作者：李俊炜,王祖军,石成英,薛院院,宁浩,徐瑞,焦仟丽,贾同轩,
来源：物理学报 年份：2020
以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照...
[期刊论文] 作者：王祖军,薛院院,刘卧龙,陈伟,王迪,焦仟丽,贾同轩,杨业,王茂成,王百川,王忠明,
来源：现代应用物理 年份：2021
为评估互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)的辐照损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上,首次开展了 65 nm工艺PPD CIS负氢离子(H-)辐照实验,在H-能量为7 MeV,辐照注量分别为1×1011,5×1011,1×1012 cm-2时,得到了 H-辐照诱发65 nm工艺PPD CIS性能退化......
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