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[期刊论文] 作者：赖柯吉,张莉,田立林,
来源：半导体学报 年份：2002
从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺参数的引入 ,同时对子电路进行了有效的简化...
[期刊论文] 作者：赖柯吉,张莉,田立林,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数的引入,同时对子电路进行了有效的简化.在参...
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