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[期刊论文] 作者：马腾, 崔江维, 郑齐文, 魏莹, 赵京昊, 梁晓雯, 余学,
来源：现代应用物理 年份：2017
利用10MeV 质子对130nm 部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照 吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件 TDDB可靠性的影...
[期刊论文] 作者：马腾, 崔江维, 郑齐文, 魏莹, 赵京昊, 梁晓雯, 余学峰,,
来源：现代应用物理 年份：2017
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[期刊论文] 作者：席善学,陆妩,郑齐文,崔江维,魏莹,姚帅,赵京昊,郭旗,
来源：电子学报 年份：2019
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物...
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