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[会议论文] 作者：赵树峰[1]邓光敏[1]陈洪维[2]宋晰[2]冯雷[2]程凯[3]张乃千[2]裴轶[1],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
随着功率器件技术的快速发展,基于传统的Si材料以及第二代半导体材料的功率器件已经无法满足实际应用中快速、低损耗等的迫切需求.GaN作为第三代半导体代表,具有宽禁带、高临...
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