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[学位论文] 作者：赵清太,
来源：北京大学 年份：1993
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[期刊论文] 作者：赵清太, 王忠烈,,
来源：半导体学报 年份：1996
本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可......
[会议论文] 作者：赵清太, 王忠烈,,
来源：半导体学报 年份：1996
本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可......
[期刊论文] 作者：王玉国,赵清太,
来源：硅酸盐学报 年份：1991
用金属有机物分解法制备了钛酸铅薄膜。研究了成膜的技术条件。一次甩胶可以获得厚约0.1μm均匀、无开裂、无针孔的薄膜,较厚的膜可通过多次甩胶得到。X射线衍射证实,经700℃...
[期刊论文] 作者：奚雪梅,李映雪,赵清太,王阳元,林成鲁,
来源：电子学报 年份：1996
本文采用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＲＢ等测试手段，分析了注入剂量改变对ＳＩＭＯＸ材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响，研究结果表明，注入剂理低于０．６×１０＾１８Ｏ＾＋／ｃｍ＾２时，经过１３００℃，６小时的高温退火过程，能形成界面清晰的三层结构，得到高......
[期刊论文] 作者：王玉国,赵清太,王克明,张沛霖,钟维烈,
来源：硅酸盐学报 年份：1991
用金属有机物分解法制备了钛酸铅薄膜。研究了成膜的技术条件。一次甩胶可以获得厚约0.1μm均匀、无开裂、无针孔的薄膜,较厚的膜可通过多次甩胶得到。X射线衍射证实,经700℃...
[期刊论文] 作者：曹永明,张敬海,蔡磊,李越生,宗祥福,赵清太,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1998
用（ＢＦ２）＾＋替代Ｂ＾＋注入，是一种重要的注入掺杂形成浅结的工艺手段。（ＢＦ２）＾＋注入也有不利的一面。剩余Ｆ原子的积聚以及大量二次缺陷的存在，都将影响ＰＮ结构的性能，利用离子束损伤技术可以有效地消除上述......
[期刊论文] 作者：李美亚,熊光成,王忠烈,范守善,赵清太,林揆训,
来源：材料研究学报 年份：1999
利用脉冲激光法在ＬａＡｌＯ３衬底上外延生长了Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ、Ｌａ－Ｓｒ－Ｍｎ－Ｏ等巨磁电阻薄膜，测定了这些薄膜电阻－温度特性，观测到了其铁磁转变及巨磁电阻效应，实验发现，较高的淀积温度使薄膜的峰值转变温度Ｔｐ降低，峰值电阻......
[期刊论文] 作者：李美亚,王忠烈,范守善,赵清太,熊光成,林揆训,
来源：功能材料 年份：2000
用脉冲激光镀膜法 ,在不同的温度和氧压条件下 ,在Si(10 0 )片上制备了一系列的CeO2 膜。X射线衍射分析表明 ,在较低的氧压下生长的CeO2 膜为 (111)取向 ,在较高的氧压下生长...
[期刊论文] 作者：李美亚,王忠烈,熊光成,范守善,赵清太,林揆训,
来源：物理学报 年份：1999
利用脉冲激光制膜法，在多种衬底和温度条件下，系统研究了Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３（ＬＳＣＯ）薄膜的结构和外延生长特性，在ＬａＡｌＯ３，ＳｒＴｉＯ３和ＭｇＯ衬底上实现了ＬＳＣＯ薄膜的外延生长．外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征．研究表明，外延......
[会议论文] 作者：李美亚,熊光成,王忠烈,范守善,赵清太,林揆训,
来源：中国科学(A辑) 年份：1999
系统研究了在LaAlO3 ,SrTiO3 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0 .5 Sr0 .5 CoO3 薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表...
Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transis
[期刊论文] 作者：王翼泽,刘畅,蔡剑辉,刘强,刘新科,俞文杰,赵清太,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
We present an experimental analysis of Schottky-barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors(SBMOSFETs) fabricated on ultrathin body silicon-on-in...
[会议论文] 作者：李美亚,熊光成,王忠烈,范守善,赵清太,林揆训,
来源：中国科协首届学术年会 年份：1999
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[期刊论文] 作者：奚雪梅,赵清太,张兴,李映雪,王阳元,陈新,王佑祥,
来源：半导体学报 年份：1996
在大剂量氧注入硅形成ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔｅｄＯＸｙｇｅｎ）的物理过程分析基础上，根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系，首次得到Ｏ＋对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式，同时提出埋ＳｉＯ２中的氧将主......
[期刊论文] 作者：张兴,李映雪,奚雪梅,赵清太,程玉华,魏丽琼,王阳元,
来源：微电子学 年份：1996
ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研......
Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature anne
[期刊论文] 作者：孟骁然,平云霞,俞文杰,薛忠营,魏星,张苗,狄增峰,张波,赵清太,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Solid reactions between Ni and relaxed Si_(0.7)Ge_(0.3) substrate were systematically investigated with different Al interlayer thicknesses. The morphology, com...
[期刊论文] 作者：文娇,刘强,刘畅,王翼泽,张波,薛忠营,狄增峰,俞文杰,赵清太,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
sSi/Si_(0.5)Ge_(0.5)/sSOI quantum-well(QW) p-MOSFETs with Hf O_2/Ti N gate stack were fabricated and characterized. According to the low temperature experimenta...
[期刊论文] 作者：刘强,蔡剑辉,何佳铸,王翼泽,张栋梁,刘畅,任伟,俞文杰,刘新科,赵清太,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
在SiO_2/Si(P~(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较...
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