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[学位论文] 作者：赵逸涵,,
来源：西安电子科技大学 年份：2004
作为功率集成电路中至关重要的元器件,横向功率器件一直是相关从业人员的研究重点与热点。而器件的耐压以及导通性能对于应用于高压集成电路中是最关键的因素,国内外对于横向...
[期刊论文] 作者：赵逸涵,段宝兴,袁嵩,吕建梅,杨银堂,,
来源：物理学报 年份：2017
为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（lateral double-diffused MOSFET,LDMOS）的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层（a...
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