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[期刊论文] 作者：小六保久,山本和彦,趙文霞,
来源：电子器件 年份：1979
近年来,多晶硅技术正在逐渐地应用于半导体器件。特别是用于形成MOS晶体管硅栅,或是作为制备结型晶体管的浅结扩散源,这方面的需要越来越强烈。多晶硅的另一端能与Al电极、A...
[期刊论文] 作者：石井正司,郡司挂维昭,尾形好雄,长谷川正志,趙文霞,
来源：电子器件 年份：1979
向硅中进行杂质扩散,除了采用液态或气态杂质源外,还可以采用固体片状杂质源。已经证明,采用片状氮化硼能够进行稳定的B扩散(特别是大面积Si片,效果更为显著)。 我们以前曾...
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