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[期刊论文] 作者：E.S.Schlig,过帆,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文给出了一种埋沟 CCD 的输出结构。该结构在不限制埋沟设计或不需要过高的漏极电压的情况下,可使输出电压的幅度高达几伏。另外,还讨论了该结构在实验性的 CCD 摄像器中的...
[期刊论文] 作者：过帆,王炳雪,,
来源：光电子技术 年份：1991
本文叙述了512×456位硅 CCD 面阵摄象传感器的结构和工作原理。它为三相三层多晶硅交叠栅、N 沟帧转移结构.象素单元面积17(H)×24(V)μm~2,摄象区面积7.65×6....
[期刊论文] 作者：杨培根,贾长友,过帆,范进先,由中强,王炳雪,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文简述硅单片集成高速电路在大容量、高速光纤通信中的应用及目前国际上几种高比特速率AGc放大器的研究情况;并介绍我们针对622Mb/s光接收机对AGC放大器的要求,用SPICE-Ⅱ...
[会议论文] 作者：李献杰, 齐利芳, 赵永林, 尹顺政, 蔡道民, 过帆,,
来源： 年份：2010
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上依次生长宽带隙半导体n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层、n+GaN发射极层,实现了一种n+/i/n+光导型单片集成紫外红外双色...
[期刊论文] 作者：李献杰,刘英斌,冯震,过帆,赵永林,赵润,周瑞,娄辰,张世祖,
来源：半导体学报 年份：2006
报道了128×128AlGaAs／GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作．采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料，并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作，为得到器件参数...
[期刊论文] 作者：李献杰,刘英斌,冯震,过帆,赵永林,赵润,周瑞,娄辰,张世祖,,
来源：红外与激光工程 年份：2007
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaA...
[期刊论文] 作者：李献杰,刘英斌,冯震,过帆,赵永林,赵润,周瑞,娄辰,张世祖,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参...
[期刊论文] 作者：李献杰,刘英斌,冯震,过帆,赵永林,赵润,周瑞,娄辰,张世祖,,
来源：半导体学报 年份：2006
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参...
[期刊论文] 作者：赵永林,李献杰,刘英斌,齐利芳,过帆,蔡道民,尹顺政,刘跳,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器（QWIP）...
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