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[学位论文] 作者：迟宸,,
来源：吉林大学 年份：2017
ZnO是一种常见的直接带隙宽禁带半导体材料,是第三代半导体材料中的研究热点。其在室温下具有较大的激子束缚能（60 me V）,禁带宽度为3.37 e V,能广泛应用于短波长光电子器件和...
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