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[学位论文] 作者:逯锦文,, 来源:西安电子科技大学 年份:2021
基于第三代半导体的材料优势,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波通信、电力控制、雷达航天等领域应用潜力巨大。欧姆接触是连接器件与外部电路的通道,低的欧姆接触电阻可以降低器件导通电阻和功率损耗使器件具有更好的电、热等特性,也可以使器件在高压大......
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