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[期刊论文] 作者：罗红斌,邓林旺,薛程升,李多辉,冯天宇,王超,邹德天,,
来源：储能科学与技术 年份：2017
以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料由于其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度高等特性,在光电子领域及高频大功率应用上倍受青睐。本文对比......
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