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[学位论文] 作者：邓正勋,
来源：华东师范大学 年份：2022
随着制备工艺的不断完善,碳化硅（SiC）MOSFET以其优越的材料特性,逐渐成为硅IGBT的有力替代者,可应用于轨道交通和电动汽车等中高功率电子电力领域。与平面栅型结构相比,槽栅SiC MOSFET导通电流更大,在功率应用领域更受欢迎。然而,在SiC MOSFET的应用中,采用寄生PN......
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