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[学位论文] 作者：邝许平,,
来源： 年份：2014
纤锌矿结构氮化铝（AlN）薄膜作为一种重要的Ⅲ族氮化物半导体材料，具有许多优异的物理化学性能，使得AlN薄膜成为碳化硅基和蓝宝石基光电和声电器件领域的理想材料，广泛应用在声表面......
[学位论文] 作者：邝许平,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2008
当DLC（类金刚石）薄膜的厚度低于2nm时,传统的DLC/Si磁头保护膜已经起不到保护作用,而降低磁头保护膜的厚度可以提高硬盘存储密度,所以探索开发新的、性能更加优异的磁头保护膜...
[期刊论文] 作者：朱拓,邝许平,何淼,阙玉龙,,
来源：印制电路信息 年份：2015
由于挠性板的尺寸稳定性难于掌控,以及刚挠结合板中挠性和刚性部分的性能差异较大,使得在层压过程中经常出现挠性区和刚性区的涨缩不一致而导致内层短路的缺陷。文章详细分析...
[会议论文] 作者：金雷,张化宇,邝许平,赵超亮,孙瑞,银颖,
来源：第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份：2012
本文研究制备了cSiO2/bY2O3/aSiO2/ZnS/aSiO2/bY2O3/cSiO2多层膜系。研究发现：1)ZnS和Y2O3之间的应力可通过SiO2缓冲层来释放；2)不开裂的Y2O3薄膜可成功的在ZnS上制备：3)ZnS...
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