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[学位论文] 作者：邢军亮,
来源：中国科学院大学 年份：2004
锑化物半导体是2～4μm红外波段光电材料和器件研究的理想体系，GaSb基量子阱激光器以其光电转换效率高、材料稳定性好等综合优势成为迄今中红外波段电驱动室温连续工作激光器制...
[会议论文] 作者：陈熙仁,邢军亮,牛智川,邵军,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：王国伟,牛智川,徐应强,王娟,邢军亮,,
来源：航空兵器 年份：2013
InAs／GaSbII类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能，其量子效率高，暗电流小，微带带隙可调，是第三代红外焦平面探测器的最优选材料。本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进......
[期刊论文] 作者：王国伟 牛智川 徐应强 王娟 邢军亮,
来源：航空兵器 年份：2013
摘要：InAs/GaSb II类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能，其量子效率高，暗电流小，微带带隙可调，是第三代红外焦平面探测器的最优选材料。本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进行了优化，设计了“两步法”界面控制技术，制备了高质量的77 K光致发光（PL）、发光波长......
[会议论文] 作者：邢军亮,张宇,徐应强,王国伟,王娟,向伟,牛智川,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
3-5μm红外波段光发射器件可广泛应用于气体探测,红外对抗等众多方面.带间级联激光器(Interband Cascade Lasers,ICL)作为一种新型的激光器,工作波长可覆盖3-5μm波段....
[会议论文] 作者：王国伟, 王娟, 邢军亮, 徐应强, 任正伟, 贺振宏, 牛,
来源： 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[会议论文] 作者：向伟,王国伟,蒋洞微,徐应强,王娟,邢军亮,牛智川,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,其微带帯隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际...
[会议论文] 作者：向伟,王国伟,蒋洞微,王娟,邢军亮,徐应强,牛智川,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
InAs/GaSb超晶格具有独特的Ⅱ型能带结构,其微带带隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际...
[会议论文] 作者：邢军亮,张宇,王国伟,王娟,向伟,任正伟,徐应强,牛智川,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
锑化物半导体材料属于窄禁带材料,其禁带宽度对应于2-5μm中红外波段的大气窗口,此波段包括了很多重要的气体分子的特征谱线,同时在此波段激光在空气散射相对比较低,因而锑化...
[会议论文] 作者：邢军亮,张宇,王国伟,王娟,任正伟,徐应强,宋国锋,牛智川,
来源：第10届全国光电技术学术交流会 年份：2012
本文结合激光器外延生长和锑化物工艺，研制了出脊波导结构激光器，其采用FP腔窄条8*800μm结构，腔面未镀膜，实现了激光器的室温连续激射，室温连续模式下2μm FP腔激光器的电流一电压(I-V )、光功率一电流(P-I)曲线，其阈值电流为450mA，激发波长1.995μm,半峰宽仅为O.11me......
[期刊论文] 作者：廖永平,张宇,邢军亮,魏思航,郝宏玥,王国伟,徐应强,牛智川,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
2 /zm AlGaAsSb/InGaSb type-Ⅰ quantum-well high-power laser diodes(LDs) are grown using molecular beam epitaxy.Stripe-type waveguide single LD(single emitter) a...
[会议论文] 作者：王娟,邢军亮,向伟,王国伟,任正伟,徐应强,贺振宏,牛智川,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
高电子迁移率晶体管(HEMT)自问世30多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应用。近年来，Sb化物半导体具有高的电子迁移率、低的工作电压而成为近年来发展新一代高速低功耗器...
[会议论文] 作者：廖永平,张宇,邢军亮,杨成奥,魏思航,郝宏玥,徐应强,牛智川,
来源：第十届全国激光技术与光电子学学术会议 年份：2015
使用固态源MBE 系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长,通过优化稳定生长条件,结合标准宽条形激光器制备工艺,获得了在15 ℃工作温度下83 mW 的连续光输出,注入电...
[会议论文] 作者：牛智川,徐应强,王国伟,张宇,任正伟,王娟,邢军亮,蒋洞微,向伟,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
锑(Sb)化物半导体材料体系主要包括GaSb,AlSb,InAs三种晶格常数在0.61nm附近的二元化合物半导体及他们之间组成各种多元合金半导体.该材料体系因其所具有的特殊物理性质而非...
[会议论文] 作者：尚向军,李密峰,贺继方,喻颖,王莉娟,邢军亮,倪海桥,牛智川,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
自组织InAs/GaAs量子点在900-1300nm波段具有极好的光、电、量子特性，可用于激光器、探测器、光伏电池、单光子源和单电了晶体管。电子空穴在量子点中占据或从量子点中逃逸是...
2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-
[期刊论文] 作者：杨成奥,张宇,廖永平,邢军亮,魏思航,张立春,徐应强,倪海桥,牛智川,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
We report a type-I Ga Sb-based laterally coupled distributed-feedback(LC-DFB) laser with shallow-etched gratings operating a continuous wave at room temperature...
High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular be
[期刊论文] 作者：邢军亮,张宇,徐应强,王国伟,王娟,向伟,倪海桥,任正伟,贺振宏,牛智川,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
The GaSb-based laser shows its superiority in the 3–4 μm wavelength range. However, for a quantum well(QW) laser structure of InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-qua...
Growth and fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array based on type-II InAs/GaSb sup
[期刊论文] 作者：王国伟,向伟,徐应强,张亮,彭振宇,吕衍秋,司俊杰,王娟,邢军亮,任正伟,牛智川,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
We present the fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array(FPA)based on type-II InAs/GaSb strain layer superlattices(SLs).The detectors contain a...
[会议论文] 作者：牛智川,尚向军,王国伟,徐应强,任正伟,贺振宏,倪海桥,李密锋,喻颖,王娟,王莉娟,查国伟,邢军亮,徐建星,向伟,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束...
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