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[期刊论文] 作者：邬祥生,
来源：上海半导体 年份：1990
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[期刊论文] 作者：邬祥生,吴学海,
来源：高速摄影与光子学 年份：1990
GaAs-AlGaAs和InGaAsP-InP体系光电波导调制器已日益引起人们的兴趣。预计它们可以用于高速光通信,相干光通信和激光陀螺。 本文报道一种用耗尽边带传输加反向偏压p-n结结构...
[期刊论文] 作者：邬祥生,陈俊,
来源：上海半导体 年份：1991
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[期刊论文] 作者：陈建新, 邬祥生,,
来源：光通信研究 年份：1993
本文评述了国内外分布反馈激光器、半导体光波导调制器及其单片集成器件的研究现状、发展趋势和应用情况。...
[期刊论文] 作者：邬祥生,诸晓敏,
来源：上海半导体 年份：1990
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[期刊论文] 作者：郑立荣,邬祥生,
来源：上海半导体 年份：1992
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[期刊论文] 作者：陈建新,邬祥生,
来源：半导体学报 年份：1994
本文量子限制Ｓｔａｒｋ效应理论计算了ＩｎＰ系量子阱中激子的波函数及激子的能量。在此基础上，计算了不同电场条件下激子能量的红移，以及吸收系数的变化。然后，根据Ｋ－Ｋ关系计算了折射率的变化，得到......
[期刊论文] 作者：邬祥生,李允平,
来源：半导体学报 年份：1990
本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—...
[期刊论文] 作者：王志忠,邬祥生,周贵德,,
来源：半导体光电 年份：1993
本文叙述了600℃低温液相外延和两相溶液法生长InGaAsP/InP超薄层及其特性研究。四元外延层的厚度、光荧光峰值半宽、过渡区陡度分别为～63nm,22.8meV,～11nm。四元层与衬底间失...
[会议论文] 作者：邬祥生,吴学海,金晓峰,
来源：第五届全国光纤通信学术会议 年份：1991
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[期刊论文] 作者：邬祥生,杨易,李允平,
来源：发光与显示 年份：1982
用二相法液相外延生长了GaInAsP/InP双异质结材料。已制得用于光通讯的、小面积的、输出功率>1mW(工作电流100mA)的发光二极管。讨论了外延工艺和影响材料性质的因素。GaIn...
[期刊论文] 作者：邬祥生,李允平,杨易,
来源：发光与显示 年份：2004
用过冷法在632—630℃生长了掺Zn的p型Ga_(0.47)In_(0.53)As接触层。研究了液相中Ga组分和Zn组分对Ga_xIn_(1-x)As/InP异质结晶格失配的影响,用一次外延技术生长了Ga_xIn_(1-...
[期刊论文] 作者：杨易,唐嫱妹,邬祥生,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1984
InP单晶是制作长波长光源器件和光电探测器的衬底材料,在微波领域的应用也已经取得了显著进展,在未来新能源中,它又是一种很有希望的太阳电池的材料。为制作以上器件,InP单...
[期刊论文] 作者：邬祥生,徐少华,姚文兰,董荣康,
来源：发光与显示 年份：1985
带有透镜结构的发光管有利于提高器件的外量子效率和耦合效率。InP衬底对1.3μm波长范围的光发射是透明的,因而可制造带透镜结构器件。本文研究了4％CH_3COOH体系腐蚀液和H_3PO...
[期刊论文] 作者：杨易,邬祥生,杨林宝,李允平,
来源：半导体光电 年份：1981
用双光束分光光度计测定了Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结外延片中四元层的禁带宽度。并和制得的发光管发射波长及计算值进行比较。部分样品用电子探针阴极萤光法对照...
[期刊论文] 作者：邬祥生,杨易,李允平,唐嫱妹,水海龙,
来源：半导体学报 年份：2004
一、引 言 GaInAsP/InP双异质结材料和器件是当前光通讯研究中人们很感兴趣的一个领域.它具有以下几个特点:(1)有源层禁带可以在相应波长0.96-1.67μm范围内任意选择,适合于...
[期刊论文] 作者：邬祥生,杨易,李允平,唐嫱妹,水海龙,
来源：半导体光电 年份：1981
本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0～1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺...
[期刊论文] 作者：邬祥生,杨易,陈沛然,徐少华,李允平,胡道珊,
来源：电子学通讯 年份：2004
用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n...
[期刊论文] 作者：邬祥生,杨易,陈沛然,徐少华,李允平,胡道珊,
来源：半导体光电 年份：2004
用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—...
[期刊论文] 作者：杨易,邬祥生,李润身,谭儒环,李允平,水海尤,
来源：电子科学学刊 年份：1985
(一)引言 Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)四元合金材料在很宽的组分变化范围内(0...
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