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[期刊论文] 作者：季锋, 刘琛, 孙伟, 闻永祥, 邹光祎,,
来源：中国集成电路 年份：2019
本文介绍了在具有N-网格结构的单晶硅上通过电化学腐蚀的方法,将硅片部分区域转化成多孔硅,通过常规单晶硅外延工艺,使多孔硅所在区域形成外延单晶硅下的空腔结构。该制造方...
[期刊论文] 作者：刘琛,闻永祥,顾悦吉,刘慧勇,邹光祎,,
来源：中国集成电路 年份：2014
功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一.本文首先介绍了电子辐照技术在改善IGBT关断时间的应用,以及该技术在槽栅I...
[期刊论文] 作者：刘琛,闻永祥,黄荣生,季锋,饶晓俊,邹光祎,,
来源：中国集成电路 年份：2014
本文提出了一种可与CMOS工艺兼容的MEMS晶圆级铝锗键合工艺。根据铝锗共晶键合的特点,设计了键合工艺流程,并通过对键合工艺（包括键合温度、键合时间、键合压强）安排多次试验,...
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