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[会议论文] 作者：陈淼,邹志宜,
来源：第六届电子束离子束学术年会 年份：1995
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[会议论文] 作者：邹志宜,黄建鸣,
来源：第六届电子束离子束学术年会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：邹志宜, 陈淼, 孙纯昌,,
来源：核技术 年份：1987
57Fe是在常温下就能测量穆斯堡尔谱的最常用和方便的同位素之一。应用同位素分离器把57Fe同位素注入待测样品,然后测量样品中57Fe受激发后的内转换电子（或X,γ射线）的穆斯...
[期刊论文] 作者：邹志宜,赵小风,黄建鸣,
来源：核技术 年份：1980
提高中子发生器靶的寿命一般采用各种形式的旋转靶。本文介绍一个借助于X、Y两组磁极,用位相差90°的交流电源激磁,在X、Y方向上产生50周交变磁场。用这种磁场扫描方法,...
[期刊论文] 作者：陈淼,邹志宜,陈守信,孙纯昌,
来源：核技术 年份：1987
当今,甚低能离子束(几十ey—几个keV)在材料科学中发挥着越来越大的作用。低能离子注入和低能离子束沉积(尤其是经过质量分析的)在离子溅射等应用基础研究和各种功能膜的制...
[期刊论文] 作者：陈守信,倪正平,陈淼,张步发,邹志宜,
来源：核技术 年份：1980
对高通量D-T中子发生器(中子通量高于10~(10)n/s)来说,采用大面积旋转靶,是提高靶对束功率的耗散能力,从而提高靶寿命的一种常用的有效方法。作者设计并试验的一种低速旋转...
[期刊论文] 作者：邹志宜,陈淼,徐明娟,张苕荣,孙纯昌,
来源：核技术 年份：1983
重离子加速器(串列加速器除外)、离子注入机和其它各种利用离子束进行表面分析的装置中,如果采用多电荷离子源,则可成倍地提高可供利用的离子的能量范围,这对充分发挥装置的...
[期刊论文] 作者：邹志宜,徐明娟,黄建鸣,毛羽,陈淼,张苕荣,
来源：核技术 年份：1981
离子注入机、单级静电加速器,各类高能重离子加速器和各种利用离子束对固体等材料进行表面分析(如卢瑟福散射,沟道效应技术等)的装置中均需重离子源,特别是强流(每秒大于10~...
[期刊论文] 作者：张苕荣,陈守信,邹志宜,孙纯昌,陈淼,黄建鸣,
来源：核技术 年份：1983
本文介绍束流截面监示仪的原理、结构和在离子源试验台上的实验结果及其优缺点。 本截面仪采用45°螺旋线探针。探针每旋转一周就给出了在两个互相垂直的方向上束截面的形状,...
[期刊论文] 作者：王震遐,陶振兰,郑里平,曹德新,邹志宜,周祖尧,周伟,
来源：核技术 年份：1988
用27keV Ar~+分别在垂直和倾斜入射情况下,轰击了Cu-Au(30wt％)合金样品,测量了Cu和Au原子的溅射角分布。角分布是用卢瑟福背散射(RBS)技术分析Al捕获膜上的Cu-Au沉积成分而定...
[期刊论文] 作者：林森浩,盛康龙,鲍锦荣,荣廷文,邹志宜,沈之荃,杨慕杰,
来源：高分子学报 年份：1987
离子注入是一种物理摻杂方法,在半导体器件的制备中已得到广泛的应用,它与常规的化学、电化学或热扩散掺杂相比具有一些特点:可以通过质量分析器选取单一的注入离子,故掺杂...
[期刊论文] 作者：荣廷文,林森浩,朱新芳,鲍锦荣,万洪和,王玟珉,邹志宜,杨慕,
来源：核技术 年份：1991
本文介绍经化学法掺FeCl_3的聚乙炔膜注入30keV的K~+离子后形成一个p-n结,并研究了它的稳定性。同时还叙述了用两种不同方法制备的聚乙炔膜掺FeCl_3后经不同处理剂处理后结构...
[期刊论文] 作者：林森浩,鲍锦荣,荣廷文,盛康龙,邹志宜,朱新芳,王玟珉,万洪,
来源：中国科学：化学英文版 年份：1992
The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The...
[期刊论文] 作者：盛康龙,鲍锦荣,荣廷文,林森浩,王玟珉,万洪和,邹志宜,朱新,
来源：核技术：英文版 年份：1990
Polyacetylene films were doped with FeCl3 and implanted with 30 k’eV K+ ions. Physical changes to the films were examined by a series of measurements, which in...
[期刊论文] 作者：盛康龙,鲍锦荣,荣廷文,林森浩,王玟珉,万洪和,邹志宜,朱新芳,,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1990
Polyacetylene films were doped with FeCl3 and implanted with 30 k’eV K+ ions. Physical changes to the films were examined by a series of measurements, which i...
[期刊论文] 作者：荣廷文,林森浩,朱新芳,鲍锦荣,万洪和,王玟珉,邹志宜,杨慕杰,沈之荃,
来源：核技术 年份：1991
本文介绍经化学法掺FeCl_3的聚乙炔膜注入30keV的K~+离子后形成一个p-n结,并研究了它的稳定性。同时还叙述了用两种不同方法制备的聚乙炔膜掺FeCl_3后经不同处理剂处理后结构...
[期刊论文] 作者：林森浩,鲍锦荣,荣廷文,盛康龙,邹志宜,朱新芳,王玟珉,万洪和,沈之荃,杨慕杰,
来源：中国科学(B辑 化学 生命科学 地学) 年份：1991
本文用Ar~+,Fe~+,Cl~+,I~+,Na~+和K~+等离子束,在15—30keV能量范围内注入聚乙炔薄膜,剂量为1×10~(13)-3×10~(17)cm~(-2).借助红外光谱、卢瑟福背散射分析及四探针等测试方...
[期刊论文] 作者：林森浩,鲍锦荣,荣廷文,盛康龙,邹志宜,朱新芳,王玟珉,万洪和,沈之荃,杨慕杰,
来源：Science in China,Ser.B 年份：1992
The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. Th...
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