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[期刊论文] 作者：张京俊,邹秋芝,
来源：电子工艺技术 年份：1994
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步......
[期刊论文] 作者：张京俊,邹秋芝,
来源：半导体技术 年份：1994
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ－ＳＩＰＯＳ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ－ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分......
[期刊论文] 作者：张京俊,邹秋芝,邓子龙,陶广斌,吕秀昭,
来源：电子工艺技术 年份：1994
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步......
[期刊论文] 作者：张京俊,邹秋芝,邓子龙,陶广斌,吕秀昭,
来源：半导体技术 年份：1994
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ－ＳＩＰＯＳ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ－ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分......
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