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[学位论文] 作者：郎啟智,
来源：贵州大学 年份：2020
宽禁带半导体材料β-Ga2O3不仅具有良好的化学稳定性,还具有超宽带隙、较短的吸收截止边、较大的击穿电场强度以及超强的透明导电性等优异的物理性能。基于β-Ga2O3研发和设计的场效应晶体管、肖特基二极管、透明导电电极以及日盲紫外探测器等功率器件和探测器......
[期刊论文] 作者：刘健, 王一, 郭祥, 王继红, 罗子江, 郎啟智, 赵振, 周,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
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[期刊论文] 作者：王一,杨晨,郭祥,王继红,刘雪飞,魏节敏,郎啟智,罗子江,丁,
来源：物理学报 年份：2018
在As_4束流等效压强为1.2×10~（-3）Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_（0.17）Ga_（0.83）As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率...
[期刊论文] 作者：刘健,王一,郭祥,王继红,罗子江,郎啟智,赵振,周海月,丁召,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
通过分子束外延生长方法,在GaAs(001)衬底上制备生长12周期,16周期,20周期的InGaAs/GaAs量子点,分析了多周期生长的InGaAs/GaAs量子点在16周期下出现较好分布的机理。以及在...
[期刊论文] 作者：刘雪飞,罗子江,周勋,王继红,魏杰敏,王一,郭祥,郎啟智,刘,
来源：功能材料 年份：2018
对InxGa1-xAs在x从0~1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合。体系弛豫后,Ga—As键长变小程度会...
[期刊论文] 作者：刘雪飞,罗子江,周勋,王继红,魏杰敏,王一,郭祥,郎啟智,刘,
来源：功能材料 年份：2018
对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0-1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还发现在相同掺杂比例下模型具有不同对称属性,...
[期刊论文] 作者：刘雪飞,罗子江,周勋,王继红,魏杰敏,王一,郭祥,郎啟智,刘万松,丁召,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2018
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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