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[期刊论文] 作者：黄汀鹤,刘玉岭,胡轶,包捷,郑伟艳,,
来源：微纳电子技术 年份：2012
在ULSI多层铜布线中,由于钽与铜在物理及化学性质上的差别导致这两者的CMP去除速率不同,从而在抛光结束后出现蝶形坑等缺陷,影响器件性能。通过实验分析碱性抛光液中磨料、螯...
[期刊论文] 作者：曹冠龙,潘国峰,何平,齐景爱,刘伟,郑伟艳,,
来源：功能材料 年份：2013
采用sol-gel法制备ZnO及CeO2掺杂量分别为6%、7%和8%（质量分数）的ZnO粉体。通过XRD、SEM对材料的表面形貌和结构进行表征。研究了掺杂量对粉体制备的影响。采用静态配气法对该...
[期刊论文] 作者：郑伟艳,田丰,高振斌,张秀军,齐景爱,高金雍,,
来源：传感器世界 年份：2010
本文介绍了一种利用流体的热效应来测量流体流速的热式传感器。由两个二极管组成的电桥电路为测量探头,一定温度的流体以不同流速流过测量探头,使测量探头周围产生不同的温度场,转换为电压进行输出。放大输出电压,A/D转换成数字信号,单片机处理后通过数码管显示......
[期刊论文] 作者：王辰伟,刘玉岭,田建颖,牛新环,郑伟艳,岳红维,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2012
The chemical mechanical polishing/planarization(CMP) performance of an inhibitor-free alkaline copper slurry is investigated.The results of the Cu dissolution r...
[期刊论文] 作者：魏文浩,刘玉岭,王辰伟,牛新环,郑伟艳,尹康达,,
来源：功能材料 年份：2012
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂（通常为H2O2）。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能...
[期刊论文] 作者：郑伟艳,刘玉岭,王辰伟,王萌,戎向向,王海霞,田巧伟,,
来源：微纳电子技术 年份：2013
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表...
[期刊论文] 作者：岳红维,王胜利,刘玉岭,王辰伟,尹康达,郑伟艳,串利伟,,
来源：微纳电子技术 年份：2012
化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状...
[期刊论文] 作者：郑伟艳, 刘玉岭, 王辰伟, 串利伟, 魏文浩, 岳红维, 曹冠,
来源：功能材料 年份：2012
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[期刊论文] 作者：郑伟艳,刘玉岭,王辰伟,串利伟,魏文浩,岳红维,曹冠龙,,
来源：功能材料 年份：2012
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化（CMP）须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化......
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