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[期刊论文] 作者：张轶群,Shi Yi,濮林,Zhang Rong,郑有蚪,
来源：物理学报 年份：2004
利用包络函数的平面波展开法计算准二维纳米线阵列中的电子态.获得电输运系数表达式.同时,通过合理近似考虑边界散射对声子输运的影响,计算得到了晶格热导率.以Si/Ge体系为例...
[会议论文] 作者：李志成,刘斌,张荣,张墅,陶涛,谢自力,陈鹏,江若琏,郑有蚪,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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,Microstructural Models of Alumina Nanotubes and Anodic Porous Alumina Film Formed in Sulphuric Acid
[期刊论文] 作者：濮林,陈志强,谭超,杨铮,邹建平,鲍希茂,冯端,施毅,郑有蚪,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
Electrochemical stepwise anodization of aluminium in dilute sulphuric acid results in the formation of alumina nanotubes (ANTs) due to the hexagonal split of th...
[期刊论文] 作者：叶敏华,王丁迪,徐子敬,濮林,施毅,韩民,张荣,郑有蚪,
来源：功能材料 年份：2010
结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构,采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了...
[会议论文] 作者：郑有蚪,谢自力,刘斌,陶涛,张曌,李烨操,陈鹏,韩平,滕龙,张荣,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：滕龙,郑有蚪,张荣,谢自力,刘斌,陶涛,张曌,李烨操,陈鹏,韩平,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：陈志忠,张荣,朱建民,秦志新,沈波,顾书林,汪峰,郑有蚪,张国义,李志峰,L.F.KUECH,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
We have investigated the microstructures of GaN films laterally epitaxially overgrown (LEO) on Si(111) substrates using hydride vapour phase epitaxy. The thread...
[会议论文] 作者：刘斌,张荣,庄喆,陶涛,谢自力,陈鹏,陈敦军,郑有蚪,罗文俊,李朝升,于涛,邹志刚,李明雪,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：刘斌,罗文俊,李朝升,于涛,邹志刚,张荣,庄喆,陶涛,谢自力,陈鹏,陈敦军,郑有蚪,李明雪,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Jian-Jun(周建军),Jiang Ruo-Lian(江若琏),Sha Jin(沙金),Liu Jie(刘杰),Shen Bo(沈波),Zhang Rong(张荣),Zheng You-Dou(郑有蚪,
来源：中国物理(英文版) 年份：2003
GaN epilayers were grown on sapphire substrates by metal-organic chemical vapour deposition. Metal-semiconductor-metal photoconductive detectors were fabricated...
,GaN Growth with Low-Temperature GaN Buffer Layers Directly on Si(111) by Hydride Vapour Phase Epita
[期刊论文] 作者：XIU Xiang-Qian(修向前),XIE Zi-Li(谢自力),YE Yu-Da(叶宇达),GU Shu-Lin(顾书林),SHEN Bo(沈波),SHI Yi(施毅),ZHENG You-Dou(郑有蚪,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
GaN films are grown on Si(111) with low-temperature GaN (LT-GaN) layers as buffer layers by hydride vapour phase epitaxy (HVPE). The deposition temperature of t...
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