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[期刊论文] 作者:戴斌, 郜玉含, 周洪庆,,
来源:电子元件与材料 年份:2013
对SiC粉体进行热处理,采用Y2O3-MgO-Al2O3烧结助剂,在1750~1950℃下30MPa热压烧结1h,制备SiC陶瓷。TG分析SiC的氧化特性,测定Zeta-电位研究SiC粉体的分散特性,测定其高温浸润性研究...
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