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[期刊论文] 作者：廉亚光,郝景臣,
来源：半导体情报 年份：2000
阐述了实现多层平面互连结构的方法，对该技术中的三个主要方面－－介质隔离度、小于２．０μｍ×２．０μｍ互连孔和５０ｎｍ之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明，该技术稳定可靠，是改善互连......
[期刊论文] 作者：张世林,郝景臣,等,
来源：半导体学报 年份：2002
用HP8510C网络分析仪测量了AlAs/InGaAs/AlAs共振隧穿二级管的S参数，通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数，计算出所研制器件的阻性截止频率为54GHz，并分析了影响器件工作频率...
[期刊论文] 作者：郝景臣,邢玉梅,,
来源：中华少年 年份：2015
课堂教学的有效性是指在课堂有限的教学时间内,采用科学的授课方法,借助现代化教学手段,在不增加学生负担的前提下,提高学生的学习效率,提高教学的实效。在进行课程改革、实...
[期刊论文] 作者：廉亚光,郝景臣,张豫黔,
来源：半导体情报 年份：2000
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明...
[期刊论文] 作者：徐岳生,唐蕾,王海云,刘彩池,郝景臣,
来源：物理学报 年份：2004
通过x射线异常透射形貌 (XRT) ,化学腐蚀显微观察和电子显微技术 (TEM)研究了液封直拉 (LEC)法生长的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构 ,从晶体生长和冷却过程的...
[会议论文] 作者：徐岳生,王海云,唐蕾,刘彩池,郝景臣,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文采用扫描X射线透射形貌技术(Lang法)研究了半绝缘砷化镓中的高密度位错的结构与分布,在没有特殊工艺措施的情况下,一般LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在着高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构.......
[会议论文] 作者：付生辉,刘彩池,王海云,徐岳生,郝景臣,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10cm量级).发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响.低AB-EPD的......
[期刊论文] 作者：徐岳生, 付生辉, 刘彩池, 王海云, 魏欣, 郝景臣,
来源：稀有金属 年份：2004
用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显...
[期刊论文] 作者：徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-EPD：10^3～10^4cm^-2量级)，用KOH腐蚀液显示位错...
[期刊论文] 作者：徐岳生,张春玲,刘彩池,唐蕾,王海云,郝景臣,
来源：半导体学报 年份：2003
通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于...
[会议论文] 作者：徐岳生,张春玲,刘彩池,唐蕾,郎益谦,郝景臣,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐蚀法、TEM和PL Mapping技术,系统的研究了位...
[期刊论文] 作者：王文君,田国平,廉亚光,郝景臣,王俊华,张降红,乔键,
来源：半导体情报 年份：1999
研制出一种实用化的ＧａＡｓ激光器高速驱动电路，该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形式，０．８μｍ栅工艺，全离子注入平面工艺，单电源（－５．２Ｖ）供电。并给出了研究结果：最大驱动电流可达４５ｍＡ，数据传输速率２．５Ｇｂ／ｓ。A......
[会议论文] 作者：付生辉[1]刘彩池[1]王海云[1]徐岳生[1]郝景臣[2],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10cm量级).发现衬底上的位错对器件跨导没...
[期刊论文] 作者：郭维廉,梁惠来,张世林,牛萍娟,毛陆虹,赵振波,郝景臣,魏碧,
来源：微纳电子技术 年份：2002
设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz.本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明....
[期刊论文] 作者：张世林,牛萍娟,梁惠来,郭维廉,赵振波,郝景臣,王文君,周均铭,黄绮,
来源：半导体学报 年份：2002
用 HP8 510 C网络分析仪测量了 Al As/In Ga As/Al As共振隧穿二极管的 S参数 ,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数 ,计算出所研制器件的阻性截止频率为 54GHz,并分析了影...
[期刊论文] 作者：郭维廉,梁惠来,张世林,牛萍娟,毛陆虹,赵振波,郝景臣,魏碧华,张豫黔,宋婉华,杨中月,
来源：微纳电子技术 年份：2002
设计并研制出室温工作的共振隧穿二极管,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。The resonan...
[期刊论文] 作者：梁惠来,赵振波,郭维廉,张世林,牛萍娟,杨中月,郝景臣,张豫黔,王文君,魏碧华,周均铭,王文新,
来源：半导体学报 年份：2002
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温...
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