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[学位论文] 作者:郭厚东,,
来源:南京邮电大学 年份:2016
LIGBT作为一类重要的栅控双极功率器件,既具有MOSFET的控制功率小、输入阻抗高、驱动电路简单、开关速度高的优点,又有双极型功率晶体管的饱和压降低、电流密度大、电流处理...
[期刊论文] 作者:陈旭东,成建兵,滕国兵,郭厚东,,
来源:Journal of Semiconductors 年份:2016
A novel trench field stop(FS) insulated gate bipolar transistor(IGBT) with a trench shorted anode(TSA)is proposed. By introducing a trench shorted anode, the TS...
[期刊论文] 作者:陈旭东, 成建兵, 郭厚东, 滕国兵, 周骏, 袁晴雯,,
来源:微电子学 年份:2017
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通...
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