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[期刊论文] 作者：喻德顺,郭常厚,
来源：微处理机 年份：1999
简介了提高Ｌ８０Ｃ８６系列１０种电路性能的技术原理和方法。...
[期刊论文] 作者：郭常厚,赵晓辉,,
来源：半导体技术 年份：2007
通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数...
[期刊论文] 作者：郭常厚,马洪江,宋玲玲,,
来源：微处理机 年份：2007
介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿...
[期刊论文] 作者：高东岳,李莹,郭常厚,栾兰,
来源：微处理机 年份：2003
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位.本文通过大量实验研究出了一种以CHF3和SF5作为主要进给气体,通过调节CHF3和SF6的流量来相...
[期刊论文] 作者：喻德顺,郭常厚,孙明峰,
来源：微处理机 年份：1999
简介了提高 L80 C86系列 1 0种电路性能的技术原理和方法This paper introduces the technical principle and method of improving the performance of 10 circuits of L8...
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