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[学位论文] 作者：郭羽泉,
来源： 年份：2015
随着科学技术的迅猛发展,电子信息技术的更新换代也变的越来越快。人们追求更高的集成度,更快的速度,更大的存贮空间,正是这些需求大大促进了电子信息技术的向前发展。在电子信息技术的发展趋势下,过去7年间纳米级别的忆阻器的成功研制随即在科学界掀起了一股研......
[期刊论文] 作者：郭羽泉,陈兵,,
来源：科技信息 年份：2011
本文借助图论中有关最小生成树的概念，定义了广义最小生成树，允许生成树中的标号可以重复使用，但是必须按照最小生成树那样以分支的形式出现，不能出现圈。本文由系统结构图所对应......
[期刊论文] 作者：郭羽泉, 段书凯, 王丽丹,,
来源：物理学报 年份：2015
随着忆阻器研究的不断深入,忆阻器的研究已经进入微观阶段,包括忆阻器内部结构的探究、内部粒子间的运动规律、各参数对忆阻器特性的影响等.然而,这些成果中没有关于尺寸参数...
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