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[会议论文] 作者：钱佩信,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：刘志农,钱佩信,,
来源：中国集成电路 年份：2003
SiGe 技术发展迅速,本文将依次介绍:IBM 公司的 SiGe 技术进展、SiGe 外延设备产业化的情况。当前 SiGe 技术的最新进展和 SiGe 晶圆代工的现况、业界主要 SiGe 公司的...
[期刊论文] 作者：刘志农,钱佩信,,
来源：中国集成电路 年份：2003
1 介绍自从1998年10月 IBM 首次量产 SiGe HBT 以来,SiGe 技术获得了长足的进展,SiGe HBT 技术已成为市场的主流技术之一,并对现代通信技术的发...
[期刊论文] 作者：徐立,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：1993
本文通过高剂量注砷硅的一系列快速热退火实验,分析了注入晶格损伤恢复情况和二次缺陷生长过程。在实验结果的基础上综合研究了快速热退火硅中的微缺陷过程。...
[期刊论文] 作者：徐立,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：1993
用快速热退火技术可以获得很高的、超过杂质在硅中固溶度的亚稳态载流子浓度。但是,超固溶度杂质的失活会引起亚稳态载流子浓度的弛豫。本文应用RBS沟道产额角分布技术分析了...
[期刊论文] 作者：刘志农,钱佩信,
来源：半导体情报 年份：2000
首先论述了ＳｉＧｅ技术的优势、发展历史和应用领域，并介绍了ＳｉＧｅ工艺和器件的进展，最后详细描述了ＳｉＧｅ ＩＣ的进展。...
[期刊论文] 作者：战长青,钱佩信,
来源：计算机与信息处理标准化 年份：1997
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[期刊论文] 作者：张鹏飞,钱佩信,
来源：微细加工技术 年份：1993
本文评述了腐蚀金相技术、物理化学技术和电学测试技术等晶体质量分析手段,研究了这些方法在SOI晶膜检测中的应用,对于SOI质量鉴定和SOI工艺评价具有实用价值。...
[期刊论文] 作者：张鹏飞,钱佩信,
来源：微细加工技术 年份：1992
两种行之有效的晶粒间界限制技术:热沉结构和硅槽结构使区熔再结晶SOI实现定域无缺陷,这是采用区熔技术制备SOI的技术关键和难点所在。本文讨论了两种结构限制晶界的机理。...
[期刊论文] 作者：何野,钱佩信,
来源：国际学术动态 年份：1990
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[期刊论文] 作者：柳连俊,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：1989
用高频感应石墨条作为红外辐射热源,对淀积在二氧化硅衬底上的多晶硅进行了区熔再结晶.再结晶后硅膜晶粒宽度可达几百微米甚至几毫米以上,长度可在区熔扫描方向延伸到样品尺...
[期刊论文] 作者：钱佩信,林惠旺,
来源：电子学报 年份：1992
本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术....
[会议论文] 作者：张鹏飞,钱佩信,林惠旺,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：张鹏飞,柳连俊,钱佩信,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：徐立,钱佩信,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1988
本文研究砷注入硅后以高频感应石墨作辐射热源的快速热退火过程.实验结果表明,快速热退火过程可分为二个阶段:第一阶段为固相外延再生长.第二阶段为高温消除损伤.In this p...
[期刊论文] 作者：徐立,钱佩信,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1993
用快速热退火技术可以获得很高的、超过杂质在硅中固溶度的亚稳态载流子浓度。但是,超固溶度杂质的失活会引起亚稳态载流子浓度的弛豫。本文应用RBS沟道产额角分布技术分析了...
[期刊论文] 作者：徐立,钱佩信,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1993
本文通过高剂量注砷硅的一系列快速热退火实验,分析了注入晶格损伤恢复情况和二次缺陷生长过程。在实验结果的基础上综合研究了快速热退火硅中的微缺陷过程。In this paper...
[期刊论文] 作者：刘志农,钱佩信,陈培毅,
来源：半导体情报 年份：2000
首先论述了 Si Ge技术的优势、发展历史和应用领域 ,并介绍了 Si Ge工艺和器件的进展 ,最后详细描述了 Si Ge IC的进展Firstly, the advantages, development history and...
[期刊论文] 作者：王红卫,杨景铭,钱佩信,
来源：电子学报 年份：1996
本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功......
[会议论文] 作者：林惠旺,钱佩信,张敬平,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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