搜索筛选:
搜索耗时0.0270秒,为你在为你在61,042,058篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：闾锦,施毅,濮林,杨红官,杨铮,郑有炓,
来源：电子学报 年份：2004
本文采用准经典近似的Monte Carlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟.研究结果表明,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用,存储器的存储时间特性可得到...
[期刊论文] 作者：闾锦,陈裕斌,左正,施毅,濮林,郑有炓,
来源：半导体学报 年份：2008
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表...
[期刊论文] 作者：杨红官,施毅,闾锦,濮林,张荣,郑有炓,
来源：物理学报 年份：2004
对p沟道锗 硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析 ,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟 .研究结果表明 :由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较...
[期刊论文] 作者：左则文,闾锦,管文田,濮林,施毅,郑有炓,,
来源：南京大学学报(自然科学版) 年份：2008
本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法...
[期刊论文] 作者：杨颂恩，张铭靖，刘树实，冯旭之，闾锦浩,
来源：数码世界 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：闾锦,陈裕斌,潘力佳,濮林,施毅,郑有炓,
来源：纳米技术与精密工程 年份：2008
将Langmuir-Blodgett（LB）膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中．采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5m，并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备...
[期刊论文] 作者：杨红官,施毅,闾锦,濮林,沈波,张荣,郑有炓,
来源：半导体学报 年份：2004
采用巴丁(Bardeen)传输哈密顿方法，数值计算了p沟道锗／硅异质纳米结构存储器的时间特性，由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用，这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编......
相关搜索：
