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[期刊论文] 作者：阮震翔,
来源：半导体技术 年份：1994
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正，反身阻断电压和Ａｎｐｎ，ａｐｎｐ的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ，ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的......
[期刊论文] 作者：阮震翔,
来源：半导体技术 年份：2004
本文叙述电视机行输出管D7312C在制造过程中.采用Si-SiO_2-PSG双层介质结构作为金属化前的钝化膜;Si-SiO_2-有机硅双层介质结构作为金属化后的钝化膜;GD406单组份室温硫化硅...
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