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[期刊论文] 作者：李赟,尹志军,朱志明,赵志飞,陆东赛,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延...
[期刊论文] 作者：李赟,尹志军,赵志飞,朱志明,陆东赛,李忠辉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进...
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