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[期刊论文] 作者：赵军,陆慧庆,
来源：红外与毫米波学报 年份：2000
用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了低能注放（１５０ｋｅＶ）砷在体材料碲镉汞中的分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况，砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制。在缺陷密度（ＥＰＤ）比较低的碲镉汞材料中......
[期刊论文] 作者：陆慧庆,李向阳,
来源：红外与毫米波学报 年份：1998
用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击ｐ型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的......
[期刊论文] 作者：黄青,陆慧庆,
来源：中国中医药科技 年份：2017
椎动脉型颈椎病主要是因颈椎退行性改变造成颈部肌肉痉挛、小关节移位及钩椎关节骨质增生，从而刺激压迫椎动脉的颅外段，致使椎动脉发生折曲、狭窄或痉挛等变化，...
[期刊论文] 作者：刘祖刚,陆慧庆,
来源：发光学报 年份：1997
制备了不同电极，不同厚度，以８－羟基喹啉铝螯合物炎发光层的有机薄膜电致发光器件。分析了它们的电流密度－电压。不同阳极器件的电流变化很大，而改变阴极时电流密度折变化较小，说明电......
[期刊论文] 作者：李向阳,赵军,陆慧庆,方家熊,
来源：红外与激光工程 年份：2000
文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。对于离子注入后的样品 ,迁移率谱给出明显的两个电导率峰 ,通过分析说明样品经过离子注...
[期刊论文] 作者：赵军,陆慧庆,李向阳,方家熊,
来源：红外与毫米波学报 年份：2000
用二次离子质谱 (SIMS)分析了低能注入 (1 5 0 ke V)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况 .砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制 .在缺...
[会议论文] 作者：陆慧庆,李向阳,赵军,方家熊,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
经过上述处理的电流-电压特性与实际测量的结果表现出很大的差别。在RA随温度的变化趋势上，不扣除串联电阻影响的情况下表现出在高温区接近产生-复合限制，而扣除串联电阻后得到......
[会议论文] 作者：陆慧庆;赵军;李向阳;胡新文;,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
同质子辐照P型碲镉汞材料的方法成功地制备了n-on-p型短波与中波光伏器件，其中中波器件的载止波长为6.5mm，黑体探测率达2.3×10cmHzW，量子效率为28％，其RA在175Ω·cm。对辐照前后...
[会议论文] 作者：陆慧庆,李向阳,赵军,方家熊,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
经过上述处理的电流-电压特性与实际测量的结果表现出很大的差别。在RA随温度的变化趋势上，不扣除串联电阻影响的情况下表现出在高温区接近产生-复合限制，而扣除串联电阻后得到的则更接近于扩散限制。而且后者RA在数值上比前者小2-3个数量级，表明串联电阻的影响是......
[会议论文] 作者：胡新文,王勤,李向阳,陆慧庆,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：陆慧庆,胡晓宁,方家熊,
来源：红外与激光工程 年份：1998
对经过低能离子束刻蚀前后的碲镉汞材料表面，测量其红外反射光谱，发现在刻蚀时间较短（＜１０ｍｉｎ）的情况下可以用扩散散射模型很好地解释刻蚀前后光谱的变化，由此方法得到的表面均方根粗糙度......
[会议论文] 作者：陆慧庆,胡晓宁,李向阳,赵军,
来源：第十三届全国红外科学技术交流会 年份：1998
工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ=5.2μm器件，RA值达到68...
[期刊论文] 作者：胡新文,赵军,陆慧庆,李向阳,方家熊,
来源：物理学报 年份：1999
利用变频导纳谱研究了γ辐照前后Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０６）ｎ＋ｏｎｐ结中的深能级缺陷．辐照前其缺陷能级位置在价带上０１５ｅＶ，俘获截面σｐ＝２９×１０－１８ｃｍ２，缺陷密度Ｎｔ＝６５×１０１５ｃｍ－３，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷；经过１０４Ｇｙ的γ辐照后其能......
[期刊论文] 作者：胡新文,李向阳,王勤,陆慧庆,赵军,
来源：红外与毫米波学报 年份：1999
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[会议论文] 作者：李向阳,胡新文,陆慧庆,张燕,方家熊,
来源：第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会 年份：2001
介绍了最近一段时间,关于碲镉汞与物质相互作用的有关研究.其中所涉及的粒子束按照质量分类有重离子(如Ar,As等)、轻离子(H+,O+等)以及光子(γ辐射,激光),从荷能方面分有高能...
[期刊论文] 作者：陆慧庆,赵军,李向阳,周咏东,方家熊,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
用低能离子束轰击工艺制备了3～5μm及8～10μm碲镉汞pn结,研究了它们的电流-电压及电容-电压特性,发现该pn结为缓变结,与通常认为的关于低能离子束轰击p型碲镉汞造成表面转型的...
[期刊论文] 作者：李向阳,赵军,陆慧庆,胡晓宁,方家熊,
来源：激光与红外 年份：1998
通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件......
[会议论文] 作者：周咏东,赵军,方家熊,陆慧庆,汤定元,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
Ar束溅射沉积技术实现了HgCdTe表面钝化介质CdTe、ZnS的低温生长。对材料的各项性能指标进行了实验分析，通过介质膜对n-HgCdTe光导器件的表面钝化以及对CdTe／HgCdTe界面电学特...
[会议论文] 作者：胡新文,李向阳,赵军,陆慧庆,龚海梅,方家熊,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
用质子辐照ｐ型碲镉汞材料的方法成功地制备了ｎ－ｏｎ－ｐ型短波与中波光伏器件．其中中波器件的截止波长为６．５ｍｍ，黑体探测率达２．３ｘ１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量子效率为２８％，其中Ｒ０Ａ达１５７·ｃＭ２。Ｃ－Ｖ特性研究发现其为突变结。噪声频谱表明在低频（＜３００Ｈｚ）时......
[会议论文] 作者：周咏东,方家熊,赵军,陆慧庆,汤定元,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
Ar束溅射沉积技术实现了HgCdTe表面钝化介质CdTe、ZnS的低温生长。对材料的各项性能指标进行了实验分析，通过介质膜对n-HgCdTe光导器件的表面钝化以及对CdTe／HgCdTe界面电学特性的实验分析表明，CdTe＋ZnS双层介质膜的各项指标已可以满足HgCdTe红外焦平面芯片的表面钝......
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