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[会议论文] 作者：刘天宇,陆(日方),
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：陆(日方),王迅,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：熊卫华,熊祖洪,陆日方,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱中观察到λ1=742nm主峰.同时也对多孔硅微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量,结合有效折射率方法和...
[期刊论文] 作者：谌达宇,王建宝,靳彩霞,陆日方,孙恒慧,
来源：电子显微学报 年份：1997
光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室）对宽禁带ⅡⅥ族半导体异质结、量子阱和超......
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