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[学位论文] 作者：陈之战,
来源：中国科学院上海硅酸盐研究所 年份：2003
该文以尖晶石和氧化亚铜晶粒水热法制备为具体研究对象,详细总结了反应条件与产物结晶学特性(产物物相、晶粒粒度、晶格参数、生长形态等)之间的关系,系统研究了环境相结构以...
[期刊论文] 作者：邵引年,陈之战,
来源：玻璃与搪瓷 年份：1991
以锑铝为主要密着剂的底釉最早开始于Ditzel,Kautz和Vielhaber等人的研究。...
[期刊论文] 作者：李铮铮,张勇,陈之战,施尔畏,
来源：无机材料学报 年份：2009
通过两步或三步法分别制备两层或三层结构的碳球模板，在溶液中的Zn离子和Mn离子在模堡上吸堕要要婺荇煅烧．TEM及SEM显示，煅烧后得到完全复制碳膜板结构的多层Mn掺杂ZnO囊泡．EDS显......
[期刊论文] 作者：李铮铮,张勇,陈之战,施尔畏,,
来源：无机材料学报 年份：2009
通过两步或三步法分别制备两层或三层结构的碳球模板,在溶液中的Zn离子和Mn离子在模板上吸附后再进行煅烧.TEM及SEM显示,煅烧后得到完全复制碳膜板结构的多层Mn掺杂ZnO囊泡.E...
[期刊论文] 作者：谈嘉慧,陈之战,张永平,何鸿,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2014
本文利用电化学刻蚀的方法在n型Si衬底上制备了不同形貌的多孔硅。扫描电子显微镜观察发现不同刻蚀条件制备的样品呈现腐蚀程度不同但腐蚀方向相同的侧向腐蚀。实验和理论分...
[期刊论文] 作者：朱振峰,蔺华妮,陈之战,李铮铮,,
来源：功能材料 年份：2012
以二水合乙酸锌和尿素为原料,聚乙二醇-2000为改性剂,用氨水调节体系pH,采用水浴法在一定的工艺条件下制备了不同花状结构ZnO粉体。结果表明,添加聚乙二醇-2000时所制得的ZnO...
[期刊论文] 作者：陈之战,施尔畏,肖兵,庄击勇,
来源：材料导报 年份：2002
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注.本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度...
[期刊论文] 作者：陈之战,施尔畏,肖兵,庄击勇,
来源：无机材料学报 年份：2003
研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响.实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶...
[期刊论文] 作者：黄维,常少辉,陈之战,施尔畏,,
来源：强激光与粒子束 年份：2010
采用高质量半绝缘碳化硅（SIC）单晶材料制作了超快高耐压大功率SiC光电导开关。应用氟化氪准分子脉冲激光器作为激发光源，得到了脉宽为40ns，上升沿为9．6ns的超快响应的电脉冲，开关的......
[期刊论文] 作者：李祥彪,施尔畏,陈之战,肖兵,,
来源：无机材料学报 年份：2008
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减,导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移...
[期刊论文] 作者：李祥彪,施尔畏,陈之战,肖兵,,
来源：结构化学 年份：2007
The optical absorption of 4H-,6H-and 15R-SiC single crystals has been measured at room temperature. The band gaps were calculated,and the reasons for band gap s...
[期刊论文] 作者：刘学超,陈之战,施尔畏,宋力昕,
来源：无机材料学报 年份：2009
稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎...
[期刊论文] 作者：储耀卿,陈之战,李耀刚,钱永彪,
来源：人工晶体学报 年份：2009
采用Bridgman法生长了二氧化碲（TeO2）晶体，运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷。初步讨论了散射点、微裂纹、气泡和黑点、条纹以......
[期刊论文] 作者：陈之战,张永平,卢吴越,程越,谈嘉慧,,
来源：人工晶体学报 年份：2014
采用水热法制备了纳米ZnCr2O4晶粒。采用X-射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和红外光谱仪（IR）研究了晶粒的物相演化规律。结果表明，在180℃温度下可制备2nm的ZnCr2O4晶粒。ZnCr2O......
[期刊论文] 作者：储耀卿,陈之战,李耀刚,钱永彪,,
来源：人工晶体学报 年份：2009
采用Bridgman法生长了二氧化碲(TeO2)晶体,运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷。初步讨论了散射点、微裂纹、气泡和黑点、条...
[期刊论文] 作者：张勇,陈之战,施尔畏,严成锋,刘学超,,
来源：无机材料学报 年份：2009
以SBA-15介孔二氧化硅为模板,以蔗糖为碳源制备了SiC纳米颗粒.研究了制备温度、升温速率和反应时间对SiC产物的影响.相对较低的制备温度、较快的升温速率、较短的保温时间,能...
[期刊论文] 作者：刘学超, 施尔畏, 宋力昕, 张华伟, 陈之战,,
来源：物理学报 年份：2004
研究了以固相反应法制备Co掺杂ZnO粉体的磁性和光学性能,测试结果表明对于均匀掺杂的Zn0·95Co0·05O粉体,Co2+随机取代Zn2+的位置进入ZnO晶格.Co2+之间的3d自旋电子耦合交换...
[期刊论文] 作者：陈之战,肖兵,施尔畏,庄击勇,刘先才,
来源：无机材料学报 年份：2002
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍...
[期刊论文] 作者：刘学超,施尔畏,张华伟,宋力昕,陈之战,,
来源：无机材料学报 年份：2006
稀磁半导体（DMSs）材料同时利用了电子的电荷和自旋属性，具有优异的磁、磁光、磁电等性能，在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景．本文对近几年来ZnO基稀磁半导体薄......
[期刊论文] 作者：刘熙,陈博源,陈之战,宋力昕,施尔畏,,
来源：无机材料学报 年份：2010
生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同.在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料（50%、55%、60%）对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响.实验...
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