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[期刊论文] 作者：秦国林,陈光炳,邓永芳,
来源：微电子学 年份：1998
叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状，详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题，用统计的方法得出了可靠性特征量，通过对......
[期刊论文] 作者：游海龙,贾新章,徐岚,陈光炳,
来源：微电子学 年份：2005
随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高,许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入,而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应.为了表征设备特性并优化工艺条件,文章利用部分要...
[期刊论文] 作者：陈光炳, 张培健, 谭开洲,,
来源：微电子学 年份：2004
为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下60Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流IB显著...
[期刊论文] 作者：陈光炳,翁吴斌,张家彬,盛明雄,,
来源：中国现代医生 年份：2015
目的 探讨MPCNL和标准通道PCNL对合并肾功能不全老年性肾结石患者近期肾功能的影响。方法 将2012年10月-2014年8月我院治疗的肾结石并肾功能不全老年性患者100例,采用随机数...
[期刊论文] 作者：罗俊,向培胜,赵胜雷,王毅,刘涛,陈光炳,,
来源：微电子学 年份：2013
加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命...
[期刊论文] 作者：何建,谭开洲,徐学良,王健安,陈光炳,刘小龙,任敏,李泽宏,张金平,,
来源：微电子学 年份：2012
提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过17...
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