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[学位论文] 作者：陈南庭,,
来源：电子科技大学 年份：2015
氮化镓基高电子迁移率晶体管在微波毫米波领域和功率器件领域具有十分重要的应用价值。国内外二十余年的研究使得GaN HEMT技术日趋成熟,然而仍存在一系列的问题亟待解决,以期...
[期刊论文] 作者：刘福海,鲁丽丽,陈南庭,,
来源：电子测试 年份：2017
本文设计了一款基于0.25 um氮化镓PHEMT工艺的8.5-10.5GHz MMIC收发前端芯片,该收发前端由一个功率放大器和一个单刀双掷开关组成.经仿真优化后,在工艺线上进行了流片,并载片...
[期刊论文] 作者：邹淅,黄建国,赵迪,陈南庭,欧文,张衡明,王向展,,
来源：半导体光电 年份：2014
芯片阵列均匀排列的常规大功率LED模组因温度场叠加会导致中心温度过高、温度分布不均匀。在理论分析面热源温度分布函数及多热源相互影响的基础上提出了一种LED芯片外密内疏...
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