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[期刊论文] 作者:挺,,,,,, 来源:发光学报 年份:2006
用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性......
[期刊论文] 作者:,,挺,,,, 来源:发光学报 年份:2005
对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均...
[期刊论文] 作者:,,,于彤军,,宋金德,,,胜利,,, 来源:半导体学报 年份:2007
研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2....
[期刊论文] 作者:,,,于彤军,,,, 来源:半导体光电 年份:2007
测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线。结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向...
[期刊论文] 作者:,,,陆曙,, 来源:发光学报 年份:2001
利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1~0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InG...
[期刊论文] 作者:,,, 来源:发光学报 年份:2001
在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2@s范围内变化.用X-射线衍射(XRD)和反射...
[期刊论文] 作者:,陆曙,,QINZhixin,C, 来源:黑龙江科技学院学报 年份:2001
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者:, , , 于彤军, , 宋金德, ,, 来源:半导体学报 年份:2007
[期刊论文] 作者:,,杨志坚,,丁晓民,, 来源:发光学报 年份:2001
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到....
[期刊论文] 作者:,杨志坚,,丁晓民,,ChenZh, 来源:黑龙江科技学院学报 年份:2001
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者:,,周建辉,, 来源:发光学报 年份:2002
研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程.GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下.两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果.在打开N2发生器挡板的情...
[期刊论文] 作者:伟,胜利,武德,, 来源:化工新型材料 年份:2010
选用双酚-A二醚二酐(BPADA)和4,4’-二胺基二苯醚(ODA)为单体,间-甲酚为溶剂,用化学亚胺化法合成高分子量可溶性的聚酰亚胺(PI),得到的PI在极性溶剂NMP、DMAc、THF和DMF中有...
[期刊论文] 作者:陆曙,,,,于彤军,胡晓东,, 来源:半导体学报 年份:2004
利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的InGaN样品。观察到InN相.通过X射线衍射理论,计算得到InN相在InGaN中的含量.通过退火和变化生长条件发现InN相在InGaN薄膜中的含量与生长时...
[期刊论文] 作者:, ,, 来源:物理 年份:2004
首先回顾了照明光源的简单历史,然后介绍了发光二极管(LED)发展到大功率白光LED的历史,接着简述了国内外发展现状,主要技术路线及其特点.最后阐述了作者在这方面的研究工作进...
[期刊论文] 作者:,,, 来源:福建地质 年份:2014
宁德下洋伊利石矿呈脉状产出,贮存于晚侏罗世南园组火山碎屑岩石中,共发现有3个矿体。矿石可分为石英一伊利石型及叶蜡石伊利石型。矿体受北东向断裂控制,由火山碎屑岩经过热液......
[期刊论文] 作者:严,,, 来源:电气自动化 年份:2015
针对大功率交流伺服系统在负载变化及参数摄动等情况下的位置跟踪问题,提出了一种基于指数趋近律的滑模变结构控制和RBF神经网络PID控制的并行复合控制策略。滑模控制削弱了负载变化和参数摄动对系统控制精度的影响。RBF神经网络PID控制可对PID控制的比例、积分......
[期刊论文] 作者:,, 来源:电子工业专用设备 年份:2011
结合国内外光伏产业市场现状,讨论了光伏产业发展所面临的挑战,展望了"十二五"期间光伏产业的发展前景。...
[期刊论文] 作者:,, 来源:电子工业专用设备 年份:2009
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3DTSV...
[期刊论文] 作者:, 来源:电子工业专用设备 年份:2001
综述了光学光刻目前的主流技术— 2 48nm曝光技术现状 ,介绍了折射式透镜和反射折射式透镜结构及性能。结合 1 93nm技术的开发 ,比较了 2种结构的优势。最后给出了光刻设备的...
[期刊论文] 作者:, 来源:电子工业专用设备 年份:2005
由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新...
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