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[学位论文] 作者：陈润乾,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
作为第三代宽禁带半导体的代表,SiC有两百多种同质异晶形。其中,6H-SiC(0001)面与3C-SiC(111)面具有较小的晶格失配,而且两者的热失配也不大。若能形成3C-SiC/6H-SiC异质结构...
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