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[学位论文] 作者：陶剑磊,,
来源：复旦大学 年份：2008
随着集成电路特征尺寸的不断减小,作为失效分析重要一环的失效定位技术也要做出相应的变革,传统失效定位手段在如此大的区域里去精确定位失效位置已变得不切实际。利用CMOS I...
[学位论文] 作者：陶剑磊,
来源：复旦大学 年份：2008
随着集成电路特征尺寸的不断减小,作为失效分析重要一环的失效定位技术也要做出相应的变革,传统失效定位手段在如此大的区域里去精确定位失效位置已变得不切实际。利用CMOS I...
[期刊论文] 作者：陶剑磊,方培源,王家楫,,
来源：半导体技术 年份：2007
ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手...
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