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[学位论文] 作者：雍定钰,,
来源：中国科学技术大学 年份：2017
ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料,其室温下带隙宽度为3.37 eV,并且激子束缚能高达60 meV。这些优异的光学性能使ZnO在紫外（UV）光电器件领域具有非常巨大的应用前景,例如可以...
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