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[学位论文] 作者：雷双瑛,,
来源：北京大学 年份：2006
AlxGa1-xN/GaN量子阱具有大的导带偏移、强的极化效应、大的LO声子能量和大的电子有效质量等特点。大的导带偏移有利于在AlxGa1-xN/GaN量子阱中获得短波长的子带间跃迁,其跃...
[学位论文] 作者：雷双瑛,
来源：东北师范大学 年份：2003
该文的研究过程是将T(x)用x展开并强加了截断条件,即在T(x)的展开式中存在有关x的最高次幂.通过RTT关系求出矩阵元T(a,b=1,2)间的对易关系.在该论文中将T(x)取成xT+T+xT的形...
[期刊论文] 作者：雷双瑛,沈波,张国义,,
来源：物理学报 年份：2008
用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga0.25N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦合势垒高度、中间耦合势垒宽度、势阱宽度和...
[期刊论文] 作者：张加宏,黄庆安,于虹,雷双瑛,,
来源：半导体学报 年份：2008
考虑量子尺寸效应与自旋轨道耦合作用，从含有应变的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量出发，采用有限差分方法建立了P型硅纳米板的能带结构模型．基于硅纳米板压阻特性与其能带结构...
Theoretical study of electromechanical property in a p-type silicon nanoplate for mechanical sensors
[期刊论文] 作者：张加宏,黄庆安,于虹,雷双瑛,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
Electromechanical property of a p-type single-crystal silicon nanoplate is modelled by a microscopic approach where the hole quantization effect and the spin-or...
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