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[期刊论文] 作者：霍年鑫,,
来源：低温与超导 年份：2007
介绍了GaAs FET功率放大器温度补偿的基本原理,分析了GaAs FET功率放大器的增益随温度变化的原因,并给出了解决方法。此方法还可移植到其他类似需要温度补偿的放大器中。...
[期刊论文] 作者：张士刚,霍年鑫,,
来源：低温与超导 年份：2011
介绍了L波段低温限幅器的设计和分析,并给出了测试结果。该限幅器具有插入损耗小、驻波低、限幅电平低及体积小等特点。在12K,限幅器插入损耗小于0.2dB,端口驻波比小于1.25,...
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