搜索筛选:
搜索耗时0.0812秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：霍瑞彬,,
来源： 年份：2014
4H-SiC因其禁带宽度大,导热性好,临界击穿电场强度高,电子饱和漂移速度高等物理特性,特别适合制作高击穿电压、高温乃至高功率电子器件,在电力电子器件应用领域逐渐崭露头角...
相关搜索：
