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[学位论文] 作者：韩家贤,,
来源：云南大学 年份：2004
目前商业的SiC单晶主要是利用物理气相输运法(PVT)进行制备,但是它在SiC单晶制备过程中所形成的微管和位错,会使器件的性能受限。另外一种方法是溶液生长法,在溶液生长法中由...
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