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[期刊论文] 作者：颜世朋,薛智民,王清波,,
来源：电子设计工程 年份：2017
提出了一种新型TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件,与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入,即在靠近源端一侧采用较高注入剂量,在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂...
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