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[学位论文] 作者：骆苏华,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2006
SOI大大降低了RF模拟电路和数字逻辑元件的串扰，可以很容易和无源器件相集成，高阻抗SOI和GPSOI衬底加强了这些优势，在CMOS射频集成电路中吸引了广泛注意。本论文在大量调研的基...
[学位论文] 作者：骆苏华,,
来源：苏州大学 年份：2003
本文采用示差扫描量热仪（DSC）系统、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）等测试手段系统分析了TiNi（1-x）Cux（X=0、5、10、14、18at.％）系合金在不同热处理条件下，马氏体相变规律与相变热循环......
[学位论文] 作者：骆苏华,
来源：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 年份：2006
SOI大大降低了RF模拟电路和数字逻辑元件的串扰，可以很容易和无源器件相集成，高阻抗SOI和GPSOI衬底加强了这些优势，在CMOS射频集成电路中吸引了广泛注意。本论文在大量调研的基础上，详细研究了SIMOX HRSOI和Smart-cut方法制备GPSOI的工艺条件及其在单片集成电路中必......
[期刊论文] 作者：骆苏华,李亚东,
来源：材料科学与工程学报 年份：2003
本文采用示差扫描量热仪(DSC)系统分析了Ti50Ni40Cu10(at.%)合金的马氏体相变潜热(ΔHB2→B19)和逆马氏体相变潜热(ΔHB19→B2)、相变热滞(ΔT)与固溶温度、退火温度和相变热...
[期刊论文] 作者：骆苏华,李亚东,
来源：有色金属 年份：2003
制备Ti50Ni40Cu10合金,并采用示差扫描量热仪(DSC)系统分析Ti50Ni40Cu10合金在不同热处理条件下,马氏体相变规律与相变热循环间的关系.结果表明,马氏体相变潜热△HB2→B19和...
[期刊论文] 作者：骆苏华,李亚东,
来源：有色金属 年份：2003
制备Ti50 Ni4 0 Cu1 0 合金 ,并采用示差扫描量热仪 (DSC)系统分析Ti50 Ni4 0 Cu1 0 合金在不同热处理条件下 ,马氏体相变规律与相变热循环间的关系。结果表明 ,马氏体相变潜...
[期刊论文] 作者：李亚东,崔大奎,骆苏华,
来源：材料科学与工艺 年份：2002
采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x) Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片...
[期刊论文] 作者：李亚东, 骆苏华, 高伟健,
来源：材料科学与工程学报 年份：2005
采用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了Ti50Ni36Cu14合金薄膜.研究表明,PLD合金薄膜的成分与沉积距离(基片/靶间距)、激光脉冲频率有较大关系.当沉积距离(D)为20～30mm时,可获得成分...
[会议论文] 作者：曾王标,骆苏华,刁雄杰,
来源：2016电力行业信息化年会 年份：2016
辐射防护是核电站安全生产与日常维护中必须要考虑的一个重要问题.优化辐射防护设计有利于保护人类健康与环境,提高工作效率,因此伴随着核电技术的发展,辐射防护越来越受重视...
[会议论文] 作者：刁雄杰;付振旭;骆苏华;,
来源：2016电力行业信息化年会 年份：2016
针对大型核电厂的特殊应用,传统的视频监控系统已经不能满足当前多样化的安全管理需要.大型电站视频智能监控从确保核电厂对关键厂房、敏感设备的安全管控出发,提出一种可靠...
[会议论文] 作者：李亚东,崔大奎,骆苏华,
来源：第八届全国青年材料科学技术研讨会 年份：2001
本文研究了RF磁控溅射工艺对TiNi Cu 合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明,在基片未加热的条件下溅射薄膜组织为非晶态,并呈柱状形貌.经650～720℃,3mins退火处理后,薄膜均发生晶化.同时表明,溅射功率和工作气压对薄膜组织形貌有很大影响.薄膜的柱状单胞直径、厚......
[期刊论文] 作者：单伟国,骆苏华,杨中海,李凌云,孙晓玮,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
研究不同衬底材料上共面波导（CPW）线的损耗特性。实验结果表明，采用低阻SOI（20Ω·cm）作村底制作的共面波导线的损耗比在低阻硅（20Ω·cm）上制作的有明显减少；而采用低阻硅，并......
[会议论文] 作者：骆苏华,刘卫丽,张苗,刘奇斌,林成鲁,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础....
[会议论文] 作者：骆苏华,刘卫丽,张苗,孙晓玮,林成鲁,
来源：上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 年份：2004
随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容...
[会议论文] 作者：李亚东,骆苏华,朱新琴,魏志泱,姚志刚,王通,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
本文研究了陶瓷谐振器主要电参数与分子银浆配方、制备工艺的关系.结果表明:当分子银浆中银含量从57wt.℅增至64.3wt.℅时,静态电容Co从5409.4F至6230.1PF显著增加,谐振阻抗R从3.0Ω下降至2.5Ω,但银含量对反谐振阻抗Ra,品质因数Qm和机电偶合系数Kp影响不大.当......
[期刊论文] 作者：骆苏华, 刘卫丽, 张苗, 狄增峰, 王石冶, 宋志棠, 孙,
来源：微电子学 年份：2005
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容...
[期刊论文] 作者：张苗,狄增峰,刘卫丽,骆苏华,宋志棠,朱剑豪,林成鲁,
来源：半导体学报 年份：2006
对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有...
[会议论文] 作者：张苗,狄增峰,刘卫丽,骆苏华,宋志棠,林成鲁,朱剑豪,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达...
[会议论文] 作者：刘卫丽,狄增峰,张苗,骆苏华,宋志棠,林成鲁,朱剑豪,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力...
[期刊论文] 作者：骆苏华, 刘卫丽, 张苗, 狄增峰, 王石冶, 宋志棠, 孙晓玮,
来源：微电子学 年份：2005
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