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[学位论文] 作者：高三垒,,
来源：山东大学 年份：2013
近年来,作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基氮族半导体器件在高温.高频.大功率器件领域具有广阔的应用前景,在国内外得到了非常广泛深入的研究。AlGaN/GaN异质结场...
[学位论文] 作者：高三垒,
来源：山东大学 年份：2013
近年来，作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，GaN基氮族半导体器件在高温.高频.大功率器件领域具有广阔的应用前景，在国内外得到了非常广泛深入的研究。AlGaN/GaN异质结场效应......
[期刊论文] 作者：高三垒,
来源：商品与质量 年份：2021
由于电化学加工技术没有工具磨损，没有残余应力，没有表面和表面损伤以及热效应，因此它在先进生产领域中具有不可或缺的作用。面对集成电路，微纳机电系统和微纳器件等新兴产业的基......
[期刊论文] 作者：高三垒,
来源：商品与质量 年份：2021
在半导体电子工厂中，为了避免可燃气体和有毒气体泄漏造成的人身或生产安全事故，并监视各种供气设备的状态，应安装气体检测和监视系统。根据半导体电子工厂的工艺特点以及气体检......
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,Zhaojun Lin,Zhifang Cao,Chongbiao Luan,高三垒,林兆军,曹芝芳,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表...
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,高三垒,Zhaojun Lin,林兆军,Zhifang Cao,曹芝芳,Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数T～0.5-0.6us,界面缺陷态密......
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