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[学位论文] 作者：魏雄邦,,
来源：电子科技大学 年份：2008
氧化钒一般以混合价态形式存在,常见的钒氧化物都具有金属—半导体相变的转化特性。氧化钒薄膜具有良好的热敏特性,在红外探测和热成像应用领域有广阔的发展潜力。本论文以氧...
[学位论文] 作者：魏雄邦,
来源：电子科技大学 年份：2004
本论文以[(BaTiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格为研究对象,研究任务是利用激光分子束外延(LMBE)技术探讨生长表、界面具有原子级平整度的[(BaTiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格的最佳工艺条...
[期刊论文] 作者：魏雄邦,吴志明,王涛,蒋亚东,,
来源：无机材料学报 年份：2008
采用直流反应磁控溅射法,在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜.采用原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对薄膜的表面形......
[期刊论文] 作者：魏雄邦,王涛,吴志明,蒋亚东,
来源：2007高技术新材料产业发展研讨会 年份：2007
在氧化钒薄膜的直流磁控溅射制备中,氩流量是影响沉膜工艺以及薄膜织构和性能的重要因素之一.从氧化钒薄膜制备角度出发,研究了纯氩环境以及氧流量恒定的氩氧混合环境中溅射电压和薄膜沉积速率随氩流量的变化.实验结果有助于对氧化钒薄膜制备工艺进行优化,为氩......
[会议论文] 作者：徐自强, 廖家轩, 魏雄邦, 杨邦朝,,
来源： 年份：2012
系统集成封装技术(SIP)是指将一个尽可能完整的电子系统或子系统高密度地集成在一个封装尺寸的体积内,其中包含各种无源器件和有源器件,而基于低温共烧陶瓷工艺(LTCC)的S...
[期刊论文] 作者：魏雄邦,廖家轩,吴志明,蒋亚东,
来源：第十七届全国高技术陶瓷学术年会 年份：2012
采用直流反应磁控溅射法在Si(100)基片上生长了厚度分别为14.9,34.1,57.6,70.0,83.4和101.7 nm的氧化钒薄膜.利用光谱式椭偏仪,并采用基于Bruggeman有效介质理论的Lorentz经典共振模型对所制备的薄膜的膜厚、折射率、消光系数进行了模拟和测量,实验表明薄膜厚度......
[会议论文] 作者：魏雄邦,廖家轩,吴志明,蒋亚东,
来源：综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会 年份：2012
本文采用直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜,研究和分析了溅射电压和薄膜沉积速率随氧流量的变化.在反应溅射过程中,溅射电压随氧流量的增加逐渐升高,而薄膜的沉积速率在低氧流量下随氧流量的增加快速升高,在高氧流量下则又随氧流量的增加而逐渐降低.对于确定的......
[期刊论文] 作者：魏雄邦,吴志明,王涛,许向东,蒋亚东,,
来源：光电子.激光 年份：2008
采用直流磁控溅射法，在纯氩气氛中溅射V2O5靶材，在覆盖有氮化硅薄膜的P（100）硅基片表面沉积氧化钒薄膜。对沉积的薄膜进行了后续高真空高温退火处理。利用XRD对薄膜的晶相进行了......
[期刊论文] 作者：廖家轩,张宝,王滨,徐从玉,魏雄邦,
来源：第十七届全国高技术陶瓷学术年会 年份：2012
用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法制备光滑致密的相邻两层钇(Y)掺杂浓度之差即掺杂浓度梯度分别为0、0.1％和0.3％摩尔比的6层钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3)薄膜,分别表示为0YBST、1YBST和3YBST,研究掺杂浓度梯度对薄膜介电特性的影响.X射线衍射(XRD)表明,薄膜为沿(110)晶......
[期刊论文] 作者：熊昊,吴志明,蒋亚东,魏雄邦,浦娟,,
来源：半导体光电 年份：2008
采用直流反应磁控溅射工艺,在不同的沉积时间条件下(5～100min)制备了以单晶硅为衬底的氧化钒薄膜,用扫描电镜分析了薄膜结构的断面形貌。对氧化钒薄膜建立了椭偏色散模型[1],...
[期刊论文] 作者：廖家轩,魏雄邦,尉旭波,徐自强,汪澎,
来源：第十七届全国高技术陶瓷学术年会 年份：2012
就(Ba+Sr)/Ti的原子摩尔比例、掺杂浓度、薄膜厚度等优化设计钇掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(Y-BST)薄膜,用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Y-BST薄膜,研究该薄膜的结构及介电性能.X射线衍射(XRD)表明,薄膜均为立方钙钛矿多晶结构,主要沿(110)晶面......
[期刊论文] 作者：魏雄邦,吴志明,王涛,许向东,唐晶晶,蒋亚东,,
来源：材料导报 年份：2008
利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的Si（100）基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜。用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试。采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方......
[期刊论文] 作者：魏雄邦,姜斌,李燕,邓宏,蒋书文,张鹰,姚海军,
来源：压电与声光 年份：2005
利用反射高能电子衍射(RHEED),研究了在SrTiO3(100)基片上采用激光分子束外延法生长的[(Ba-TiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格薄膜的生长特性.观察到清晰明亮的反射高能电子衍射花样...
[会议论文] 作者：王思哲;廖家轩;杨函于;魏雄邦;吴孟强;,
来源：第十八届全国高技术陶瓷学术年会 年份：2014
以柠檬酸为络合剂、乙二醇为交联剂、无水乙醇替代去离子水作为助溶剂，通过柠檬酸对有关金属离子的络合作用以及柠檬酸盐与乙二醇的酯化聚合作用，避免了常规柠檬酸法制备铈......
[会议论文] 作者：杨函于,廖家轩,王思哲,魏雄邦,吴孟强,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2015
用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备掺杂浓度(1~15)mol%的钾和镁交替掺杂钛酸锶钡(BST)薄膜,研究掺杂浓度对薄膜结构和介电性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,薄膜为钙钛矿结构。扫描...
[会议论文] 作者：张未芳,廖家轩,黄家奇,魏雄邦,吴孟强,
来源：第十八届全国高技术陶瓷学术年会 年份：2014
在Si/SiO2/Ti/Pt基片上用改进的溶胶-凝胶法制备了高掺杂浓度的Mg掺杂、K掺杂及Mg/K交替掺杂(K掺杂表层)的钛酸锶钡(BST)薄膜,并研究了其介电性能.X射线衍射(XRD)表明,薄膜为...
[会议论文] 作者：魏雄邦[1]廖家轩[1]吴志明[2]蒋亚东[2],
来源：综合电子系统技术教育部重点实验室暨四川省高密度集成器件工程技术研究中心2012学术年会 年份：2012
本文采用直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜，研究和分析了溅射电压和薄膜沉积速率随氧流量的变化。在反应溅射过程中，溅射电压随氧流量的增加逐渐升高，而薄膜的沉积速率在低......
[期刊论文] 作者：魏雄邦,蒋亚东,吴志明,廖家轩,贾宇明,田忠,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2010
采用直流反应磁控溅射法,在Si(100)基片表面沉积厚度为1000nm的二氧化钒膜。利用X射线衍射(XRD)仪和扫描电镜(SEM)分析膜的晶相和形貌,观察到二氧化钒膜的一种新的生长模式。...
[期刊论文] 作者：魏雄邦, 蒋亚东, 吴志明, 廖家轩, 贾宇明, 田忠,,
来源：材料导报 年份：2009
采用直流反应磁控溅射法制备了厚度为500nm的氧化钒薄膜。采用X射线光电子能谱仪对制得的氧化钒薄膜进行了深度刻蚀分析。结果表明,随薄膜刻蚀深度的增加,薄膜内的氧钒比及钒...
[期刊论文] 作者：魏雄邦,蒋亚东,吴志明,廖家轩,贾宇明,田忠,,
来源：材料导报 年份：2009
采用直流反应磁控溅射法在不同基片上制备了80nm和1000nm厚的氧化钒薄膜。采用x射线衍射仪、原子力显微镜及扫描电镜进行了薄膜微观结构分析。结果表明，薄膜的晶化受衬底影响...
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