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[学位论文] 作者：鲁小妹,
来源：北京工业大学 年份：2006
由于GaN等Ⅲ族氮化物具有禁带宽、强场下电子饱和速度快、击穿电压高以及热导率高的优点，已成为当前国际研究热点。但是由于GaN材料及器件的制备成本较高，而且工艺难以控制。所......
[期刊论文] 作者：高建新,鲁小妹,邹明洪,,
来源：中国集成电路 年份：2015
随着对筛选测试质量的要求越来越高，测试数据量也越来越大，且不同测试机台有不同测试数据格式。面对海量且格式不一的测试数据，测试工程师需要一项项手动提取并整理分析，这使得批......
[期刊论文] 作者：许梦龙, 鲁小妹, 赵来钖,,
来源：集成电路应用 年份：2020
为了减少芯片测试时间,降低芯片测试成本,介绍一种基于智能卡芯片的测试时间优化的方法。通过分析大生产的测试数据,对测试流程、测试程序以及测试向量进行优化,在保证质量的...
[会议论文] 作者：鲁小妹,吕长志,朱修殿,张小玲,
来源：中国电子学会第十一届青年学术年会 年份：2005
本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应进...
[会议论文] 作者：朱修殿,鲁小妹,张浩,吕长志,张小玲,
来源：中国电子学会第十一届青年学术年会 年份：2005
本文研究了栅长为1μm的蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT的室温～-70℃低温直流特性.阈值电压随温度的降低而下降且低于-30℃下降明显;饱和漏极电流随温度的降低而增大,增大的百分比为...
[期刊论文] 作者：朱修殿,吕长志,鲁小妹,张小玲,张浩,
来源：半导体技术 年份：2004
回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特...
[会议论文] 作者：张小玲,谢雪松,鲁小妹,吕长志,李志国,
来源：2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2005
本文采用ISE仿真软件对AlGaN/GaNHEMT的不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369mS/mm,261mS/mm和495mS/mm,最大漏源电流分别为:68...
[会议论文] 作者：鲁小妹,吕长志,朱修殿,张小玲,张小玲,
来源：中国电子学会第十一届青年学术年会 年份：2005
本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应进行了模拟.其次,通过考虑极化前后的转移特性的比较,可知Al组分越大,器件的二维电子气浓......
[期刊论文] 作者：朱修殿,吕长志,鲁小妹,张小玲,张浩,徐立国,
来源：半导体技术 年份：2006
回顾了在高温条件下AIGaN／GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素，且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特...
[期刊论文] 作者：朱修殿,吕长志,鲁小妹,张小玲,张浩,徐立国,,
来源：半导体技术 年份：2006
回顾了在高温条件下AlGaN/GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温...
[期刊论文] 作者：鲁小妹,吕长志,张小玲,朱修殿,刘婧,许鸿鹤,,
来源：闽江学院学报 年份：2006
主要叙述了在ISE软件平台上对AlGaN／GaN HEMT的转移特性以及C-V特性的模拟．首先实现了通过引入6掺杂层的方法对器件的极化效应的模拟．其次，在此基础上改变了的AlGaN／GaNH EMT中spa...
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