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[学位论文] 作者：鲍孝圆,,
来源：重庆邮电大学 年份：2004
随着单光子探测技术应用范围的不断扩展,对其核心部件--光电探测器提出了更高要求。传统的PMT、APD等光电器件已无法满足精确探测仅几个光子量级的微弱光以及皮秒量级的时间...
[期刊论文] 作者：王巍,陈丽,鲍孝圆,陈婷,徐媛媛,王冠宇,唐政维,,
来源：激光与红外 年份：2017
设计了一种基于0．18μmCMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管（APD）。该APD采用标准0．18μmCMOS工艺，设计了两个P＋／N阱型pn节，形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI（浅沟......
[期刊论文] 作者：王巍,杜超雨,王婷,鲍孝圆,陈丽,王冠宇,王振,黄义,,
来源：半导体光电 年份：2015
提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p~+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析...
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